Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом
|
|
| Creator |
Уколов, А.И.
Ukolov, A.I. Уколов, О.І. |
|
| Subject |
германий
germanium время жизни life time дефекты структуры defects structure приповерхностный слой subsurface layer |
|
| Description |
Influence of structure defects created in the subsurface layer of germanium single-crystal by cutting and uniaxial pressing deformation with simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature 310 K on the life time τ of minority charge carriers is investigated. Measurements are executed by the pulse method of modulation of conductivity in a point contact with the surface of Ge specimens and by the method of a movable light probe. It is proved that at the small delays of measuring pulse relatively of injecting one the fi rst method allows to determine life time in the subsurface defective layer. Comparison with the method of a movable light probe has shown divergence of results no more than 12 %. Исследовано влияние дефектов структуры, созданных в приповерхностном слое монокристаллического германия резанием и деформированием одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310 К, на время жизни неосновных носителей заряда τ. Измерения выполнены импульсным методом модуляции проводимости в точечном контакте с поверхностью образцов Ge и методом подвижного светового зонда. Показано, что при малых задержках измерительного импульса относительно инжектирующего в первом методе можно определять время жизни в приповерхностном дефектном слое. Сопоставление с методом подвижного светового зонда показало расхождение результатов не более 12%. |
|
| Date |
2012-03-04T11:03:35Z
2012-03-04T11:03:35Z 2011-06 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Уколов А.И., Надточий В.А., Голоденко Н.Н. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом// Вісник ХНУ, № 962, серія «Фізика». Випуск 15. – Харьков –2011. с. 63- 66.
http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/6903 |
|
| Language |
other
|
|
| Publisher |
Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина
|
|