Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния
Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals |
|
| Creator |
Швец, Е.Я.
Головко, Ю.В. |
|
| Subject |
кислород
oxygen atom silicon monocrystall admixture атом кремний примесь раствор монокристал |
|
| Description |
Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated
Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов |
|
| Date |
2012-03-15T12:04:12Z
2012-03-15T12:04:12Z 2009 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009
УДК 546.28-121 http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852 |
|
| Publisher |
Донецький національний технічний університет
|
|