Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния
The Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Silicon |
|
| Creator |
Реков, Ю.В.
Червоный, И.Ф. Кисарин, О.А. Яркин, В.Н. Куцова, В.З. Егоров, С.Г. |
|
| Subject |
поликристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочность
polycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strength |
|
| Description |
The work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans.
Рассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов. |
|
| Date |
2012-03-23T10:47:12Z
2012-03-23T10:47:12Z 2010 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009
УДК 621.315.592 http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671 |
|
| Publisher |
Донецький національний технічний університет
|
|