Запис Детальніше

Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках

Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках
Features of surface diffusion in semiconductors
 
Creator Уколов, О.І.
Любченко, І.В
Уколова, Ю.В.
 
Subject Дифузія
Diffusion
напівпровідник
semiconductor
поверхня
surface
 
Description This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation.
В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення.
 
Date 2012-04-06T07:29:02Z
2012-04-06T07:29:02Z
2010
 
Type Article
 
Identifier Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71
http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788
 
Publisher София. «Бял ГРАД БГ» ООД.