Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках
Features of surface diffusion in semiconductors |
|
Creator |
Уколов, О.І.
Любченко, І.В Уколова, Ю.В. |
|
Subject |
Дифузія
Diffusion напівпровідник semiconductor поверхня surface |
|
Description |
This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation.
В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення. |
|
Date |
2012-04-06T07:29:02Z
2012-04-06T07:29:02Z 2010 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71
http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788 |
|
Publisher |
София. «Бял ГРАД БГ» ООД.
|
|