Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии
|
|
| Creator |
Надточий, В. А.
Уколов, А. И. Нечволод, Н. К. |
|
| Subject |
Диффузия
diffusion дислокация distribution поверхность surface наноструктура nanostructure |
|
| Description |
The phenomenon of low temperature diffusion is investigational in Ge along outcropping dislocation semiloops at creation of gradients of tension under the action of deformation of bend or compression. Possibility of creation is shown on the surface of низкоразмерных атомних structures properties of that are studied by the methods of atomic-power microscopy and romane spectroscopy of combination dispersion of light.
Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомних структур,свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. |
|
| Date |
2014-03-07T08:30:23Z
2014-03-07T08:30:23Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии // Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62.
http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24996 |
|
| Language |
other
|
|
| Publisher |
Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62.
|
|