Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge.
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge.
|
|
| Creator |
Надточий, В. А.
Уколов, А. И. Попов, О. К. Перебайло, С. А. |
|
| Subject |
Полупроводник
semiconductor эффективное время жизни effective time of life скорость поверхностной рекомбинации speed of superficial recombination |
|
| Description |
The construction of device for determination of time of life of non-equilibrium carriers of charge is considered in the приповерхностном imperfect layer of single-crystal germanium on results measuring of зффективного time of life, time of life in обьеме and speed of superficial recombination.
Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных но-сителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений зффективного времени жизни, времени жизни в обьеме и скорости поверхностной рекомбинации. |
|
| Date |
2014-03-07T08:32:21Z
2014-03-07T08:32:21Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Надточій В.О. Уколов О.І. Попов О.К. Перебайло С.А. Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с
978-966-1554-82-4 http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24997 |
|
| Language |
other
|
|
| Publisher |
Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 87 – 93.
|
|