Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии.
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии.
|
|
| Creator |
Надточий, В. А.
Уколов, А. И Костенко, С. А. Редникин, Д. Ю |
|
| Subject |
Полупроводник
semiconductor наноструктура nanostructure диффузия diffusion градиент напряжения gradient of tension дислокация distribution |
|
| Description |
In hired the method of atomic-power microscopy is execute researches of surface of standards of single-crystal Ge, cyclic deformed by a monaxonic compression with a simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature of 310К. Deformation of crystals generates on a surface the periodic imperfect structures conditioned by массопереносом at presence of gradient of tensions and origin of the directed diffusive streams. Dislocation loops in a surface layer are the sources of origin of nanostructures of type small fossula-island. At the association of small islands the combs of nanometer height, the sources of that are the dislocation loops arcwise oriented by the fields of point defects, appear on the stage of ripening.
В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge, циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310К. Деформирование кристаллов порождает на поверхности периодические дефектные структуры, обусловленные массопереносом при наличии градиента напряжений и возникновении направленных диффузионных потоков. Дислокационные петли в приповерхностном слое являются источниками зарождения наноструктур типа ямка-островок. При объединении островков на стадии созревания образуются гребни нанометровой высоты, источниками которых являются дислокационные петли, линейно ориентированные полями точечных дефектов. |
|
| Date |
2014-03-11T06:30:34Z
2014-03-11T06:30:34Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Надточий В.А. Уколов А.И. Костенко С. А. Редникин Д. Ю Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с.
978-966-1554-82-4 http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25017 |
|
| Language |
other
|
|
| Publisher |
Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 94 – 99.
|
|