О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.
Електронний архів E-archive DonNTU – (Electronic archive Donetsk National Technical University)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.
|
|
| Creator |
Уколов, А.И.
Надточий, В.А. Калимбед, А.З. Москаль, Д.С. |
|
| Subject |
Методика
Methodology рекомбинация recombination приповерхностный слой surface layer полупроводник semiconductor |
|
| Description |
In technologies of making of semiconductor devices used different methods of modification of приповерхностных layers of crystals, directionally changing their physical properties: alloying by admixtures, irradiation, polishing and mechanical, the particles of high energies polishing В технологиях изготовления полупроводниковых приборов используются разные методы модификации приповерхностных слоев кристаллов, направленно изменяющих их физические свойства: легирование примесями, облучение частицами высоких энергий, шлифование и механическое полирование |
|
| Date |
2014-03-11T07:55:40Z
2014-03-11T07:55:40Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Уколов А.И. Надточий В.А. Калимбед А.З. Москаль Д.С. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.// Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010
http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25028 |
|
| Language |
other
|
|
| Publisher |
Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010. 88 – 94с.
|
|