Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
|
|
| Creator |
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д. Стороженко, И.П. |
|
| Subject |
Физические основы электронных приборов
|
|
| Description |
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.
The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined. |
|
| Date |
2017-07-14T12:18:57Z
2017-07-14T12:18:57Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика и радиоастрономия
|
|
| Publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України
|
|