Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
|
|
| Creator |
Ащеулов, А.А.
Годованюк, В.Н. Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Романюк, И.С. |
|
| Subject |
Компоненты для электронной аппаратуры
|
|
| Description |
Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов.
The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed. |
|
| Date |
2017-07-17T14:43:32Z
2017-07-17T14:43:32Z 1999 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122685 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|