Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
|
|
| Creator |
Новосядлый, С.П.
Буджак, Я.С. |
|
| Subject |
Технологические процессы
|
|
| Description |
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.
Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed. |
|
| Date |
2017-07-17T18:25:00Z
2017-07-17T18:25:00Z 1999 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|