Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
|
|
| Creator |
Шутов, С.В.
|
|
| Subject |
Материалы для электронных компонентов
|
|
| Description |
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.
The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown. |
|
| Date |
2017-07-19T12:56:03Z
2017-07-19T12:56:03Z 1999 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|