Electroactivity of Al in Al-Doped ZnO Films
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/20208/
http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/conference_16/index.htm |
|
| Title |
Electroactivity of Al in Al-Doped ZnO Films
|
|
| Creator |
Ievtushenko, A.I.
Dranchuk, M.V. Karpyna, V.A. Литвин, Оксана Степанівна Tkach, S.V. Baturin, V.A. Karpenko, O.Y. Lashkarev, G.V. |
|
| Subject |
Міжнародні
|
|
| Description |
The report devoted to study the influence of Al content on its electroactivity in ZnO thin films. Al-doped ZnO thin films were deposited by growth method on silicon substrates. The set of ZnO:Al films with concentrations of Al in the range from 0.2 to 1.2 % were grown. For samples characterization, XRD, EDX analysis, atomic force microscopy and transmittance measurements were used. The temperature dependences of electrical resistivity and Hall coefficient were investigated.
|
|
| Date |
2017-05-15
|
|
| Type |
Доповідь на конференції чи семінарі
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/20208/1/O_Lytvyn_ICPTFN-2017_FITU.pdf
Ievtushenko, A.I. та Dranchuk, M.V. та Karpyna, V.A. та Литвин, Оксана Степанівна та Tkach, S.V. та Baturin, V.A. та Karpenko, O.Y. та Lashkarev, G.V. (2017) Electroactivity of Al in Al-Doped ZnO Films In: XVІ Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок і наносистем, МКФТТПН-XVІ, м. Івано-Франківськ, Україна. |
|