Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
|
|
| Creator |
Ismayilova, N.A.
Orudzhev G.S. |
|
| Subject |
Электронные структура и свойства
|
|
| Description |
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.
Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности. Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини. |
|
| Date |
2017-10-28T13:59:03Z
2017-10-28T13:59:03Z 2017 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.39.05.0657 PACS numbers: 61.72.jd, 71.15.Ap, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 71.20.Nr, 74.62.Dh http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125495 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Металлофизика и новейшие технологии
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|