Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
|
|
| Creator |
Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І. |
|
| Subject |
Фізика
|
|
| Description |
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by fast-pile neutrons is established. |
|
| Date |
2017-11-02T13:22:20Z
2017-11-02T13:22:20Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125716 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Доповіді НАН України
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|