Запис Детальніше

Фізико-технологічні основи осадження тонких ВТНП-плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Фізико-технологічні основи осадження тонких ВТНП-плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ
 
Creator Фліс, В.С.
Пан, В.М.
Комашко, В.А.
Москалюк, В.О.
Пешко, І.І.
 
Description Виконано ретельні теоретичні й експериментальні дослідження та модернізацію окремих процесів лазерної та магнетронної метод осадження з метою створення YBa₂Cu₃O₇₋δ плівок та бар’єрних шарів CeО₂ з контрольованою кристалічною структурою і високими надпровідними властивостями плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ. У результаті роботи розроблено фізико-технологічні основи процесу одержання надпровідних плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ на діелектричних (сапфірових) підложжях із використанням бар’єрного шару CeО₂, як методою двопроменевого лазерного осадження, так і магнетронного розпорошення.
Проведены тщательные теоретические и экспериментальные исследования и модернизация отдельных процессов лазерного и магнетронного методов осаждения с целью создания YBa₂Cu₃O₇₋δ пленок и барьерных слоев СеО₂ с контролируемой кристаллической структурой и высокими сверхпроводящими свойствами пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ. В результате работы разработаны физико-технологические основы получения сверхпроводящих пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ на диэлектрических (сапфировых) подложках с использованием барьерного слоя CeО₂, как методом двухлучевого лазерного осаждения, так и магнетронного распыления.
The careful experimental and theoretical studies followed by a subsequent improvement of high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films’ and buffer CeО₂ layers’ deposition technologies with a use of laser and magnetron deposition techniques are carried out in order to obtain СеО₂-buffered high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films with a controllable crystalline structure and high superconducting properties. As a result of this work, the physical and technological backgrounds of the deposition processes of perfect YBa₂Cu₃O₇₋δ films on dielectric (sapphire) substrates with a use of buffer CeО₂ layers are developed for both two-beam laser and magnetron deposition techniques.
 
Date 2017-11-04T14:50:41Z
2017-11-04T14:50:41Z
2006
 
Type Article
 
Identifier Фізико-технологічні основи осадження тонких ВТНП-плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ / В.С. Фліс, В.М. Пан, В.А. Комашко, В.О. Москалюк, І.І. Пешко // Успехи физики металлов. — 2006. — Т. 7, № 4. — С. 189-241. — Бібліогр.: 37 назв. — укр.
1608-1021
PACS: 61.72.Lk, 74.72.Bk, 74.76.Bz, 81.15.Cd, 81.15.Fg, 81.40.Rs, 85.25.-j
DOI: https://doi.org/10.15407/ufm.07.04.189
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125803
 
Language uk
 
Relation Успехи физики металлов
 
Publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України