Запис Детальніше

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
 
Creator Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І.
 
Subject Механіка
 
Description При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії
термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до
наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³.
При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций
(1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является
малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³.
At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f.
in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals.
It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the
crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³.
 
Date 2017-11-29T12:46:02Z
2017-11-29T12:46:02Z
2017
 
Type Article
 
Identifier Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
1025-6415
DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/126644
621.315.592
 
Language uk
 
Relation Доповіді НАН України
 
Publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України