Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
|
|
Creator |
Гайдар, Г.П.
Баранський, П.І. |
|
Subject |
Механіка
|
|
Description |
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³. При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³. At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f. in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals. It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³. |
|
Date |
2017-11-29T12:46:02Z
2017-11-29T12:46:02Z 2017 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/126644 621.315.592 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Доповіді НАН України
|
|
Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|