Запис Детальніше

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
 
Creator Якунин, М.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Харус, Г.И.
Шелушинина, Н.Г
Звонков, Б.Н.
Ускова, Е.А.
 
Subject Электронные свойства низкоразмерных систем
 
Description Прецизионное сканирование плоскости (B ,B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2)
при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энергетическим спектром ДКЯ, на фоне структур, связанных с
магнитным пробоем. Траектории, описывающие особенности МС на плоскости (B⊥ ,B||), удается полуколичественно описать на основе квазиклассических расчетов квантования энергетического спектра ДКЯ под действием перпендикулярной компоненты поля. Пики, обусловленные
магнитным пробоем, усиливаются с ростом полной величины магнитного поля. Наблюдаются
их спиновые расщепления, отвечающие эффективной величине фактора Ланде |g*| ≈ 3.
Прецизійне сканування площини (B ,B||) між проекціями магнітного поля перпендикулярно й паралельно шарам подвійної квантової ями (ПКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) при
вимірах її поздовжнього магнітоопору (МО) дозволяє виявити ряд особливостей, обумовлених
складним енергетичним спектром ПКЯ, на фоні структур, пов’язаних з магнітним пробоєм.
Траєкторії, що описують особливості МО на площині (B⊥, B||), вдається напівкількісно описати
на основі квазикласичних розрахунків квантування енергетичного спектра ПКЯ під впливом
перпендикулярної компоненти поля. Піки, що обумовлені магнітним пробоєм, підсилюються з
ростом повної величини магнітного поля. Виявлено їхні спінові розщеплення, що відповідають
ефективній величині фактора Ланде |g*| ≈ 3.
Peculiarities due to a complicated double
quantum well (DQW) energy spectrum are revealed
from the precise scan of the (B ,B||)
plane between the magnetic field components
perpendicular and parallel to the layers of the
n-InxGa₁₋xAs/GaAs(x ≈ 0.2) DQW while measuring
its longitudinal magnetoresistivity. These
peculiarities interfere with the structures connected
with the magnetic breakdown. The experimental
results are presented as gray-scale maps
on the (B⊥, B||) plane, where the peculiarities
form different trajectories, that can be described
semi-quantitatively by using the quasi-classical
calculations of the DQW energy spectrum
quantization under a perpendicular field component.
The peaks due to the magnetic breakdown
are relatively enhanced with increasing the total
field. These are spin—split at the highest parallel
fields yielding the effective Lande g-factor
value |g*| ≈ 3.
 
Date 2017-12-23T21:33:24Z
2017-12-23T21:33:24Z
2007
 
Type Article
 
Identifier Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г Шелушинина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 211-216. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.50.Jt, 73.20.–r
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127533
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України