Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
|
|
| Creator |
Арапов, Ю.Г.
Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
|
| Subject |
Электронные свойства низкоразмерных систем
|
|
| Description |
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях. У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях. The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like» temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8) for our samples. The electron density is on a «metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D metal—insulator transition. Due to this anomalous σxy(B, T) T-dependence we observed some peculiarities of the insulator—quantum Hall state (with ν = 10) transition in low magnetic fields. |
|
| Date |
2017-12-23T21:52:30Z
2017-12-23T21:52:30Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 73.50.Jt , 71.30.+h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127535 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|