Запис Детальніше

Влияние магнитных взаимодействий на энергию активации поляронной прыжковой проводимости в парамагнитной фазе монокристаллического манганита Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Влияние магнитных взаимодействий на энергию активации поляронной прыжковой проводимости в парамагнитной фазе монокристаллического манганита Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃
 
Creator Нейфельд, Э.А.
Архипов, В.Е.
Угрюмова, Н.А.
Королев, А.В.
Муковский, Я.М.
 
Subject Новые электронные материалы и системы
 
Description Представлены результаты экспериментального исследования удельного электрического сопротивления, термоэдс, намагниченности и магнитной восприимчивости монокристаллического
легированного манганита европия Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃ в парамагнитной фазе. В интервале температур 80–400 К, в котором наблюдается монотонный рост удельного электрического сопротивления образца ρ(Т) приблизительно на 6 порядков, проведен сравнительный анализ экспериментальной зависимости ρ(Т) и теоретических моделей, используемых для описания активационной
проводимости манганитов. Наиболее точно поведение ρ(Т) описывается прыжковой поляронной
моделью, в которой прыжки адиабатических поляронов малого радиуса совершаются между ближайшими соседями, но энергия активации уменьшается при понижении температуры. Качественное объяснение обнаруженной температурной зависимости энергии активации основано на
флуктуационной модели фазового расслоения с учетом магнитного вклада в энергию активации,
предложенной Л.П. Горьковым с соавторами.
Представлено результати експериментального дослідження питомого електричного опору,
термоерс, намагніченості й магнітної сприйнятливості монокристалічного легованого манганіту
європія Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃ у парамагнітній фазі. В інтервалі температур 80–400 К, у якому спостерігається монотонне зростання питомого електричного опору зразка ρ(Т) приблизно на 6 порядків, проведено порівняльний аналіз експериментальної залежності ρ(Т) і теоретичних моделей, які використовані для опису активаційної провідності манганітів. Найбільш точно
поведінка ρ(Т) описується стрибковою поляронною моделлю, у якій стрибки адіабатичних поляронів малого радіуса відбуваються між найближчими сусідами, але енергія активації зменшується зі зниженням температури. Якісне пояснення температурної залежності енергії активації, яку виявлено, засновано на флуктуаційній моделі фазового розшарування з урахуванням магнітного внеску в енергію активації, запропонованої Л.П. Горьковим зі співавторами.
The experimental data on electric resistance,
thermopower, magnetization, and magnetic susceptibility
a doped monocrystal manganite
Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃ in a paramagnetic phase are presented.
The comparative analysis of the experimental
dependence ρ(Т) and the theoretical models
used to described activation conductivity of manganites
is carried out in a wide temperature range
(80–400 K), in which a monotonous growth of
the sample electric resistivity (approximately by
six orders of magnitude) is observed. The ρ(Т) behavior
is most precisely described by the nearest
neighbor hopping conductivity model of small radius
adiabatic polarons, with activation energy decreasing
with temperature. The qualitative explanation
of the temperature dependence of activation
energy is based on the fluctuation model of phase
stratification with allowance made for magnetic
contribution to activation energy offered by L.P.
Gor’kov et al.
 
Date 2017-12-27T15:14:40Z
2017-12-27T15:14:40Z
2007
 
Type Article
 
Identifier Влияние магнитных взаимодействий на энергию активации поляронной прыжковой проводимости в парамагнитной фазе монокристаллического манганита Eu₀,₆Sr₀,₄MnO₃ / Э.А. Нейфельд, В.Е. Архипов, Н.А. Угрюмова, А.В. Королев, Я.М. Муковский // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 354-358. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.80.Ga, 75.47.Lx
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127742
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України