The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors
Влияние гамма-излучения на основные статические характеристики SiGe транзисторов Вплив гамма-випромінювання на основні статичні характеристики SiGe транзисторів |
|
| Creator |
Dvornikov, О. V.
Dziatlau, V. L. Prokopenko, N. N. Tchekhovski, V. А. |
|
| Subject |
621.382
radiation hardness, SiGe-transistors, analog microcircuits, gamma rays, main static characteristics of transistor — радиационная стойкость; SiGe-транзисторы; аналоговые микросхемы; гамма излучение; основные статические характеристики транзистора — радіаційна стійкість; SiGe-транзистори; аналогові мікросхеми; гамма випромінювання; основні статичні характеристики транзистора |
|
| Description |
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static base current gain in the common-emitter (CE) configuration on emitter current, the output characteristic in the CE configuration.
Рассмотрено воздействие гамма-излучения радионуклида 60Co на наиболее значимые для аналоговых микросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторов техпроцесса SGB25V: напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе, зависимость статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (ОЭ) от эмиттерного тока, выходная характеристика в схеме с ОЭ. Розглянуто вплив гамма-випромінювання радіонукліда 60Co на найбільш важливі для аналогових мікросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторів техпроцесу SGB25V: напруга на прямозміщеному емітерному переході, залежність статичного коефіцієнта передачі струму бази в схемі із спільним емітером (СЕ) від емітерного струму, вихідна характеристика в схемі з СЕ. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
|
|
| Contributor |
The research is carried out at the expense of the Grant of the Russian Science Foundation (project № 16-19-00122)
— — |
|
| Date |
2017-12-30
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion — — — |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1412
|
|
| Source |
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; № 71 (2017); 40-45
Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 71 (2017); 40-45 Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 71 (2017); 40-45 2310-0389 2310-0397 |
|
| Language |
eng
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1412/1319
|
|
| Rights |
##submission.copyrightStatement##
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
|