Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
|
|
Creator |
Мамалуй, А.А.
Шелест, Т.Н. Чашка, Х.Б. |
|
Subject |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
|
|
Description |
Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe₃ при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%).
The temperature dependence of the electrical resistivity of quasi-one-dimensional NbSe₃ is investigated in the interval 78–550 K in the thermodynamic equilibrium and nonequilibrium states. At temperatures of 300–550 K one observes an exponential deviation from the linear dependence on account of the formation of thermodynamic equilibrium Se vacancies. The influence of intrinsic defects (vacancies) on the properties of NbSe₃ at 78–300 K is investigated by the quenching method. For samples with excess vacancies an anomalously large deviation from the Matthiessen rule (up to 150%) is observed. |
|
Date |
2018-01-14T15:46:01Z
2018-01-14T15:46:01Z 2000 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃ / А.А. Мамалуй, Т.Н. Шелест, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 72.15.-v http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128994 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физика низких температур
|
|
Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|