Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия
|
|
Creator |
Шикин, В.Б.
|
|
Subject |
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
|
|
Description |
Обсуждаются детали поглощения ВЧ электромагнитного поля 2D электронами на тонкой пленке гелия в зависимости от величины прижимающего электрического поля. Отмечена связь этой задачи с проблемой насыщения в 2D электронной системе. Специально изучен случай цилиндрической геометрии, качественно отвечающий условиям эксперимента в [1]. Показано, что полученные данные относительно полевой зависимости поглощения энергии ВЧ поля 2D электронами содержат информацию о пересыщенных электронных состояниях в ячейке.
The details of the absorption of an rf electromagnetic field by two-dimensional (2D) electrons on a thin film of helium in relation to the confining electric field are discussed. The connection between this problem and the problem of saturation in a 2D electron system is noted. A special study is made for the case of cylindrical geometry, which corresponds qualitatively to the conditions of the experiment of B. Lehndorff and K. Dransfeld, J. Phys. (Paris) 50, 2579 (1989). It is shown that the data obtained on the field dependence of the absorption of rf field energy by 2D electrons contains information about the supersaturated electronic states in the cell. |
|
Date |
2018-01-16T11:58:09Z
2018-01-16T11:58:09Z 2000 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия / В.Б. Шикин // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 536-540. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 67.70.+n http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129077 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физика низких температур
|
|
Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|