Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
|
|
| Creator |
Беркутов, И.Б.
Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. |
|
| Subject |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
|
|
| Description |
В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τeph=10⁻⁸T⁻² c.
Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ heterojunctions with p-type conductivity exhibit an electron overheating effect. An analysis of the damping of the amplitudes of the Shubnikov–de Haas oscillations upon a change in temperature and applied electric field yields the temperature dependence of the electron–phonon relaxation time:τeph=10⁻⁸T⁻² s. |
|
| Date |
2018-01-18T14:52:07Z
2018-01-18T14:52:07Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 72.20.My, 72.20.Ht http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129251 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|