Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
|
|
| Creator |
Михеев, В.М.
|
|
| Subject |
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
|
|
| Description |
На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной проводимости». На прикладі гетероструктури AlxGa₁₋xAs/GaAs вивчено вплив підсвічування на рухливість 2D електронів при розсіянні на нерівноважному корельованому розподілі домішкових іонів. Показано, що підсвічування зразка при досить високих температурах призводить до пригнічення ефекту «інверсії електронної провідності». The impact of illumination on the mobility of 2D electrons during scattering by a non-equilibrium correlated distribution of impurity atoms is investigated, based on the example of the AlxGa₁₋xAs/GaAs heterostructure. It is shown that sample backlighting at sufficiently high temperatures leads to the suppression of the “electron conductivity inversion” effect. |
|
| Date |
2018-01-19T16:44:09Z
2018-01-19T16:44:09Z 2017 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 623-628. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.90.+f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129431 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|