Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков
|
|
| Creator |
Пашицкий, Э.А.
Вакарюк, В.И. Рябченко, С.М. Федотов, Ю.В. |
|
| Subject |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
|
|
| Description |
Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков θ, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности ξ(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры Tc практически не зависит от θ и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока jc(T), остается ток распаривания j₀ (T) µ (1 - T/Tc)³/². Вблизи Tc, когда ξ(T) > d, происходит переход от зависимости jcT) ~ (1 - T/Tc)³/² к jc(T) ~ (1-T/Tc)². Такое поведение jc(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O₇₋d .
A model for the limiting of the critical current in rather perfect high -Tc superconducting crystals and epitaxial films with a block structure with small angles of misorientation θ of the crystalline blocks is considered for the case when the distance d between edge dislocations along the boundary between blocks is greater than the coherence length ξ(T). It is shown that under these conditions the transparency of low-angle boundaries for the superconducting current carriers near the critical temperature T c is practically independent of θ and T. As a result, the only factor governing the temperature dependence of the critical current density jc(T) remains the depairing current j₀(T)∝(1−T/Tc )³/². Near Tc , when ξ(T)>d, a transition from the dependence jc(T)∼(1−T/Tc)³/² to a dependence jc(T)∼(1−T/Tc)² occurs. This behavior of jc(T) is in good agreement with the results of experimental measurements of the critical currents in thin epitaxial films of YBa₂Cu₃O₇₋d . |
|
| Date |
2018-01-30T20:51:58Z
2018-01-30T20:51:58Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков / Э.А. Пашицкий, В.И. Вакарюк, С.М. Рябченко, Ю.В. Федотов // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 131-139. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 74.72.Bk, 74.76.Bz, 74.25.Ha http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129848 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|