Влияние продольного магнитного поля на усиление волн в плазменно-пучковом супергетеродинном лазере на свободных электронах доплертронного типа
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Влияние продольного магнитного поля на усиление волн в плазменно-пучковом супергетеродинном лазере на свободных электронах доплертронного типа
|
|
Creator |
Лысенко, А.В.
Алексеенко, Г.А. Павлов, А.В. |
|
Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
Description |
Предметом исследования являются усилительные характеристики плазменно-пучкового супергетеродинного лазера на свободных электронах доплертронного типа. Цель состоит в теоретическом изучении влияния продольного магнитного поля на усиление волн в таком устройстве с точки зрения нахождения оптимального режима работы.
Предметом дослідження є підсилювальні характеристики плазмово-пучкового супергетеродинного лазера на вільних електронах доплертронного типу. Мета полягає в теоретичному вивченні впливу поздовжнього магнітного поля на підсилення хвиль у такому пристрої з точки зору знаходження оптимального режиму роботи. The research subject is the amplification characteristics of the plasma-beam superheterodyne free-electron laser of the dopplertron type. The purpose is to theoretically investigate the influence of longitudinal magnetic field on the wave amplification in such a device in order to find the optimal operation mode. |
|
Date |
2018-02-09T15:37:13Z
2018-02-09T15:37:13Z 2017 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Влияние продольного магнитного поля на усиление волн в плазменно-пучковом супергетеродинном лазере на свободных электронах доплертронного типа / А.В. Лысенко, Г.А. Алексеенко, А.В. Павлов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 55-61. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
1028-821X PACS: 41.60.Cr; 52.35.Mw DOI: doi.org/10.15407/rej2017.04.055 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130260 621.373 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|