Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
|
|
| Creator |
Semen’ko, M.P.
Bilyavina, N.M. Nakonechna, O.I. |
|
| Subject |
Электронные структура и свойства
|
|
| Description |
Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the solid solutions on its base possess a metallic conductivity. Substitution of a certain part of the gallium atoms in YGa₂ compound belonging to AlB₂-type structure with germanium, silicon or aluminium atoms leads to decrease of resistivity in the Ga → Ge → Si → Al series that may be caused by both the nature of atoms themselves and technological parameters of coatings’ preparation (primarily, by their homogeneity).
Электрические свойства (электросопротивление и температурный коэффициент электросопротивления) твёрдых растворов Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ и Y(Ga,Ge)₂ исследованы с использованием модельных покрытий соответствующих сплавов на слюде. Анализ температурных зависимостей электросопротивления показал, что как соединению YGa₂, так и твёрдым растворам на его основе присущ металлический тип проводимости. Замещение определённой части атомов галлия в соединении YGa₂, которое относится к типу AlB₂, атомами германия, кремния или алюминия приводит к уменьшению электросопротивления в ряду Ga → Ge → Si → Al, что может быть обусловлено как природой самих атомов, так и технологическими особенностями изготовления покрытий (прежде всего, их гомогенностью). Електричні властивості (електроопір і температурний коефіцієнт електроопору) твердих розчинів Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ та Y(Ga,Ge)₂ досліджено з використанням модельних покриттів відповідних стопів на слюді. Аналіза температурних залежностей електроопору показала, що як сполука YGa₂, так і тверді розчини на її основі мають металічну провідність. Заміщення певної частини атомів Ґалію в сполуці YGa₂, що належить до структури типу AlB₂, на атоми Ґерманію, Силіцію або Алюмінію приводить до зменшення електроопору в ряду Ga → Ge → Si → Al, що може бути зумовлено як природою самих атомів, так і технологічними особливостями одержання покриттів (перш за все, їх гомогенністю). |
|
| Date |
2018-02-13T15:37:25Z
2018-02-13T15:37:25Z 2017 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
1024-1809 PACS: 61.05.cp, 61.66.Dk, 68.37.Hk, 72.15.Eb, 73.61.At, 81.15.Ef, 81.40.Rs untranslated DOI: doi.org/10.15407/mfint.39.10.1299 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130438 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Металлофизика и новейшие технологии
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|