Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/23671/
https://jnep.sumdu.edu.ua/en/full_article/2422 |
|
| Title |
Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3
Photoelectric Properties of Nanocomposite Ionotronic Structures Based on 2D Layered Semiconductor InSe and a Melt of Ionic RbNO3 Salt |
|
| Creator |
Бахтінов, А.П.
Водоп'янов, В.М. Іванова, В.І. Ковалюк, З.Д. Ткачук, І.Г. Нетяга, В.В. Литвин, Оксана Степанівна |
|
| Subject |
Scopus
Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН) |
|
| Description |
В даній роботі вперше досліджено зв'язок між морфологією, хімічним складом і фотоелектричними властивостями вертикальних іонотронних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3. Встановлено, що максимальну фоточутливість мають наноструктури, які складаються з 2D шарів InSe, ультратонких шарів оксиду In2O3 і кільцевих наноструктур іонної солі, які розташовані в площинах (0001) кристалу InSe періодично вздовж його кристалічної вісі С. Встановлений зв'язок між морфологією гетерограниць і спектральним розподілом фотопровідності для іонотронних наноструктур, сформованих на основі кристалів GaSe і InSe і іонних солей MeNO3 (Me = K, Rb). Досліджено імпедансні спектри, спектральний розподіл фоточутливості та морфологію поверхонь вертикальних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника n-InSe та іонної солі RbNO3. In this work the relation between the morphology, chemical composition and photoelectric properties of vertical ionotronic nanostructures based on layered semiconductor InSe and ionic RbNO 3 salt was investigated. It is established that nanostructures consisting of 2D InSe layers, ultrathin layers of In2O3 oxide and annular nanostructures of the ionic salt, which are located in the (0001) planes of InSe crystal periodically along main crystal axis, have a maximum photosensitivity. The connection between the heterogeneous morphology and the spectral distribution of photoconductivity for the ionotronic nanostructures formed on the basis of GaSe and InSe crystals and ionic MeNO3 salts (Me = K, Rb) is established. Impedance spectra, spectral distribution of photosensitivity and morphology of the surfaces of vertical ionotronic structures, formed on the basis of 2D layered semiconductor n-InSe and ionic RbNO3 salt has been investigated. |
|
| Publisher |
Sumy State University (Sumy, Ukraine)
|
|
| Date |
2018-02-24
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/23671/1/A_Bakhtinov_V_Vodopyanov_O_Lytvyn_etc_JNEP_V10_FITU.pdf
Бахтінов, А.П. та Водоп'янов, В.М. та Іванова, В.І. та Ковалюк, З.Д. та Ткачук, І.Г. та Нетяга, В.В. та Литвин, Оксана Степанівна (2018) Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3 Journal of Nano- and Electronic Physics, 10 (1). с. 1-7. ISSN 2077-6772; 2306-4277 |
|