Запис Детальніше

Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
 
Creator Потоцька, В.В.
Гічан, О.І.
Скриптун, І.М.
Омельчук, А.О.
 
Subject Фізика
 
Description Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає.
Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни
поверхневої концентрації електроактивних частинок.
Показано, что с увеличением толщины диффузионного слоя Нернста импеданс приэлектродного слоя
возрастает. Приведена количественная оценка фазового угла диффузионного импеданса в зависимости от
частоты при разных значениях толщины диффузионного слоя. Установлено, что диффузия обусловливает
запаздывание по фазе относительно тока изменения поверхностной концентрации электроактивных частиц.
It is shown that the impedance of a near-electrode layer increases with the thickness of the Nernst diffusion layer.
A qualitative estimation of the phase angle of the diffusion impedance depending on the frequency at different
diffusion layer thicknesses is obtained. It is shown that the diffusion is a reason for a delay in the phase of changes
in the surface concentration of species with respect to the current.
 
Date 2018-04-19T14:22:54Z
2018-04-19T14:22:54Z
2018
 
Type Article
 
Identifier Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1025-6415
DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2018.01.034
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/132407
530.1;544.6.018.2; 544.636/.638
 
Language uk
 
Relation Доповіді НАН України
 
Publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України