Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
|
|
| Creator |
Трубаева, O.Г.
Чайка, M.A. Зеленская, O.В. Лалаянц, А.И. Галкин, С.Н. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов (х = 0,07—0,39) и установлено, что интенсивность спектров рентгенолюминесценции максимальна при х = 0,22. Также показано, что по сравнению с коммерческими кристаллами ZnSe(Te) и ZnSe(Al) смешанные кристаллы ZnSxSe1–x обладают более высоким световыходом и лучшей термической стабильностью.
В даній роботі було досліджено вплив вмісту сірки на основні властивості об'ємних кристалів ZnSxSe1–x і проведено порівняння їх властивостей з властивостями кристалів ZnSe, ZnSe (Al), ZnSe (Te). Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм під тиском інертного газу (Ar, P = 10⁷—10⁹ Па) при температурі 1870—2000 К залежно від складу вихідної шихти. Отримано об'ємні кристали ZnSxSe1–x з різним вмістом компонентів: при х = 0,05; 0,10; 0,15; 0,20; 0,25; 0,30. Встановлено, що сцинтиляційні властивості досліджених кристалів залежать від вмісту сірки, а кращі параметри були отримані при х = 0,22, тобто для зразків ZnS0,22Se0,78. Було показано, що максимум смуги рентгенолюмінесценції знаходиться в області 584—591 нм, що відповідає максимальній чутливості кремнієвих фотодіодів. Виявлено, що інтенсивність рентгенолюмінесценції кристалів зростає зі збільшенням вмісту сірки і досягає максимуму для складу ZnS0,22Se0,78. ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can change their luminescent properties. Many studies were focused on obtaining ZnSxSe1–x mixed crystals, most using a vapour phase growth methods, and only some of works used the directional solidification. The directional solidification techniques allow growing large ZnSxSe1–x crystals for high-energy particles detectors. Practical use, however, requires the knowledge about luminescent properties of ZnSxSe1–x bulk crystals. |
|
| Date |
2018-05-21T17:28:18Z
2018-05-21T17:28:18Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.1.36 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133232 535-34; 535-36 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|