Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур
eKMAIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур
Structure perfection of dislocationless undoped bulk Si single crystals used as substrates for epitaxial growth of semiconductor nanostructures |
|
| Creator |
Баранський, Петро
Гайдар, Галина Литовченко, Петро |
|
| Subject |
епітаксія поверхні
нанометр об 'ємні мікродефекти підкладинки |
|
| Description |
This report is devoted to the analysis of real conditions which exist at the boundary of a substrate and epitaxial grown films. The analysis is made taking into account the fact that substrates prepared from the best quality material, namely FZSi single crystals, have various microdefects of different nature inside their volume. Technological problems arising at the epitaxial growth of homo- or heterolayers on a substrate are caused by the existence of microdefects inside the bulk of the substrate with their dimensions lying in the range from few units to several hundreds of nm and their projections emerging from the bulk onto the surface which is actual for the epitaxy and which departs the substrate and epitaxial grown layer. У статті зосереджується увага на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проводиться з урахуванням того, що підкладинки, при готовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно чи гетерошару на підкладинку, noв'язані з тим, що об 'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром. |
|
| Date |
2016-01-26T14:42:46Z
2016-01-26T14:42:46Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Баранський Петро Іванович. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур / Баранський П. І., Гайдар Г. П., Литовченко П. Г. // Наукові записки НаУКМА : Фізико-математичні науки. - 2005. - Т. 39. - С. 58-63.
http://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8024 |
|
| Language |
ua
|
|
| Relation |
Наукові записки НаУКМА: Фізико-математичні науки
|
|