Запис Детальніше

Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
Volt-ampere charateristics of metal-semiconductors structure on the base of polycrystal silicon
 
Creator Цмоць, В. М.
Хляп, Г. М.
Паньків, Л. І.
Лабовка, Д. В.
Петренко, В. В.
Новоставський, Р. В.
 
Contributor Національний університет "Львівська політехніка"
 
Subject 621.315
 
Description Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields.
 
Date 2018-03-12T13:29:47Z
2018-03-12T13:29:47Z
2002
 
Type Article
 
Identifier Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію / В. М. Цмоць, Г. М. Хляп, Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, В. В. Петренко, Р. В. Новоставський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 103–109. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39595
 
Language uk
 
Relation 1. Коугия К.В., Теруков Е.И. / / Физика и техника полупроводников. - 2001. - 35. - C. 643-648. 2. ГоревН.Б., ПрохоровЕ.Ф., Уколов А.Т. //Микроэлектроника. -1994. -2 4 . - C. 42-47. 3. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. - М., 1989. - 344 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. T. 1. - М., 1984. - 454 с. 5. Hernandez E. / / Cryst. Res. Technol. - 1998. -1 4 . - P. 285-290.
 
Rights Цмоць В. М., Хляп Г. М., Паньків Л. І., Лабовка Д. В., Петренко В. В., Новоставський Р. В., 2002
 
Format 103-109
application/pdf
 
Coverage UA
Львів
 
Publisher Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"