Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
Volt-ampere charateristics of metal-semiconductors structure on the base of polycrystal silicon |
|
Creator |
Цмоць, В. М.
Хляп, Г. М. Паньків, Л. І. Лабовка, Д. В. Петренко, В. В. Новоставський, Р. В. |
|
Contributor |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|
Subject |
621.315
|
|
Description |
Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields.
|
|
Date |
2018-03-12T13:29:47Z
2018-03-12T13:29:47Z 2002 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію / В. М. Цмоць, Г. М. Хляп, Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, В. В. Петренко, Р. В. Новоставський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 103–109. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39595 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
1. Коугия К.В., Теруков Е.И. / / Физика и техника полупроводников. - 2001. - 35. - C. 643-648. 2. ГоревН.Б., ПрохоровЕ.Ф., Уколов А.Т. //Микроэлектроника. -1994. -2 4 . - C. 42-47. 3. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. - М., 1989. - 344 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. T. 1. - М., 1984. - 454 с. 5. Hernandez E. / / Cryst. Res. Technol. - 1998. -1 4 . - P. 285-290.
|
|
Rights |
Цмоць В. М., Хляп Г. М., Паньків Л. І., Лабовка Д. В., Петренко В. В., Новоставський Р. В., 2002
|
|
Format |
103-109
application/pdf |
|
Coverage |
UA
Львів |
|
Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|