Запис Детальніше

Electric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Electric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators
 
Creator Iwanowski, P.
Hruban, A.
Piotrowski, K.
Diduszko, R.
 
Contributor Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Tele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
 
Date 2018-04-02T13:40:10Z
2018-04-02T13:40:10Z
2017-05-29
2017-05-29
 
Type Conference Abstract
 
Identifier Electric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators / P. Iwanowski, A. Hruban, K. Piotrowski, R. Diduszko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 166. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/40052
Electric Transport Properties of Sn-Dopped Bi2Te2Se Topological Insulators / P. Iwanowski, A. Hruban, K. Piotrowski, R. Diduszko // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 166. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
 
Language en
 
Relation Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017
Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017
 
Rights © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
 
Format 166
1
application/pdf
image/png
 
Coverage 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна
May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine
Львів
Lviv