Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля
Исследование влияния нейтронного облучения на тонкопленочные сенсоры магнитного поля Investigation of neutron irradiation effect on thin-film magnetic field sensors |
|
| Creator |
Большакова, І. А.
Віерербл, Л. Дюран, І. Єрашок, В. Е. Макідо, О. Ю. Шуригін, Ф. М. Мороз, А. П. Ковальова, Н. В. |
|
| Subject |
semiconductor sensors
indium arsenide indium antimonid multilayer heterostructure neutron irradiation напівпровідникові сенсори арсенід індію антимонід індію багатошарові гетероструктури нейтронне опромінення полупроводниковые сенсоры арсенид индия антимонид индия многслоцные гетероструктуры нейтронное облучение |
|
| Description |
Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.
|
|
| Date |
2012-05-22T09:42:51Z
2012-05-22T09:42:51Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля / І. А. Большакова, Л. Віерербл, І. Дюран, В. Е. Єрашок, Н. В. Ковальова, О. Ю. Макідо, А. П. Мороз, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 718 : Фізико-математичні науки. – С. 127–133. – Бібліографія: 10 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/12666 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|