Запис Детальніше

Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
Improving of repeatability of threshold voltage of dmosfets
 
Creator Невзоров, В. В.
Смеркло, Л. М.
Дорош, Н. В.
 
Contributor Національний університет "Львівська політехніка"
 
Subject 621.382.323
 
Description Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.
 
Date 2018-03-12T13:28:57Z
2018-03-12T13:28:57Z
2002
 
Type Article
 
Identifier Невзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39592
 
Language uk
 
Relation 1. Зи С. Физика полупроводниковым приборов: В 2 кн. І Пер с англ.; Под ред. P.A. Суриса. - М., 1984. - 455 с. 2. Cheng Y.C. Electronic States at the Silicon- Silicon Dioxide Interface / / Prog Surf. Sci. - 1977. - S. - P. 181. 3. Deüal B.T. The Curent Understating o f Charges in the Thermally Oxized Silicon // Structure. J. Electrochem. Soc. - 1974. -1 2 1 . - P. 198 . 4. Горушко В.A., Данилович Н.И., Лесникова В.П., Пилипенко ВЛ . Лазерная обработка поверхности кремниевіх пластин II Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - V. - C. 113-118 5. Полтавцев Ю.Г., Князев A .Q Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - К., 1990. - 205 с.
 
Rights Невзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 2002
 
Format 87-90
application/pdf
 
Coverage UA
Львів
 
Publisher Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"