Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
Improving of repeatability of threshold voltage of dmosfets |
|
Creator |
Невзоров, В. В.
Смеркло, Л. М. Дорош, Н. В. |
|
Contributor |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|
Subject |
621.382.323
|
|
Description |
Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.
|
|
Date |
2018-03-12T13:28:57Z
2018-03-12T13:28:57Z 2002 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Невзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39592 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
1. Зи С. Физика полупроводниковым приборов: В 2 кн. І Пер с англ.; Под ред. P.A. Суриса. - М., 1984. - 455 с. 2. Cheng Y.C. Electronic States at the Silicon- Silicon Dioxide Interface / / Prog Surf. Sci. - 1977. - S. - P. 181. 3. Deüal B.T. The Curent Understating o f Charges in the Thermally Oxized Silicon // Structure. J. Electrochem. Soc. - 1974. -1 2 1 . - P. 198 . 4. Горушко В.A., Данилович Н.И., Лесникова В.П., Пилипенко ВЛ . Лазерная обработка поверхности кремниевіх пластин II Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - V. - C. 113-118 5. Полтавцев Ю.Г., Князев A .Q Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - К., 1990. - 205 с.
|
|
Rights |
Невзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 2002
|
|
Format |
87-90
application/pdf |
|
Coverage |
UA
Львів |
|
Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|