Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації
Izoelectron-concentrational lines around edged dislocation |
|
| Creator |
Баран, М. М.
Пелещак, P. M. Лукіянець, Б. А. |
|
| Contributor |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|
| Subject |
621
|
|
| Description |
У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines. |
|
| Date |
2018-03-13T10:43:59Z
2018-03-13T10:43:59Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Баран М. М. Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації / М. М. Баран, Р. М. Пелещак, Б. А. Лукіянець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 185–191. – Бібліографія: 11 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39620 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
1. Судзуки Т., Есинага X., Такнути С. Динамика дислокацій и пластичность. - M., 1989. 2. Бонч-Бруєвич В.Л., Гласко В.Б. / / ФТТ. - 1961. - 3, В.1. - С. 36-46. 3. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. / / УФН. - 1995. -1 6 5 , № 8 . - С. 888-905. 4. Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1991. - 36, В. 11. - С. 1744. 5. Пелещак P.M., Лукіянець Б.A., Тупчак В.П. / / ЖФД. - 2000. - 4. - С. 165-170. 6 . Пелещак P.M. Электронные состояния деформации решётки кристалла при наличии точечных дефектов / / Препринт-69-53 ИТФ ФН УССР. - К., 1989. - 24 с. 7. Taguchi Tsunemasa, Kawakami Yoich , Yamada Yoichi / / Physica B. - 1993. - 23. - P. 191-196. 8 . Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1999. - 44, В. 8 . - С. 856-860. 9. Peleschak R.M. / / Condensed Matter Physics. - 2000. - 3. - P. 169. 10. Коваленко А.В. / / ФТП. - 1997. - 31, В.1. - С. 11. 11. Пелещак P.M., Лукиянец Б.А. / / Письма в ЖТФ. - 1998. - 24, В. 3. - С. 32-38.
|
|
| Rights |
Баран М. М., Пелещак P. M., Лукіянець Б. А., 2002
|
|
| Format |
185-191
application/pdf |
|
| Coverage |
UA
Львів |
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|