Запис Детальніше

Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах
Models of the radiation defects accumulation in oxide crystals
 
Creator Убізський, С. Б.
Бурий, O. A.
Потера, П.
Матковський, А. О.
 
Description Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.
 
Date 2017-09-04T12:08:33Z
2017-09-04T12:08:33Z
2004
 
Type Article
 
Identifier Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах / С. Б. Убізський, O. A. Бурий, П. Потера, А. О. Матковський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 514 : Електороніка. – С. 23–32. – Бібліографія: 9 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/38896
 
Language ua
 
Format application/pdf
 
Publisher Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»