Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів
Epitaxial garnet structures for solid-state lasers |
|
| Creator |
Убізський, С. Б.
Сиворотка, І. М. Матковський, А. О. Мельник, С.С. Сиворотка, І. І. |
|
| Description |
Описані дослідження в галузі розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання як активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться групою Відділу фізики і технології монокристалічних матеріалів НВП “Карат” та Лабораторії фізики оксидних кристалів Центру “Кристал” Національного університету “Львівська політехніка” з 1997 p.. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають у технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також способи їх вирішення. Внаслідок досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробу¬вання яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.
|
|
| Date |
2017-09-04T12:07:50Z
2017-09-04T12:07:50Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів / С. Б. Убізський, І. М. Сиворотка, А. О. Матковський, С. С. Мельник, І. І. Сиворотка // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 514 : Електороніка. – С. 9–23. – Бібліографія: 69 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/38895 |
|
| Language |
ua
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
|
|