Вплив атомів водню на систему Ni-Ge
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив атомів водню на систему Ni-Ge
|
|
| Creator |
Матюшин, В. M.
Мартинюк, P. B. |
|
| Description |
Досліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів. Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested. |
|
| Date |
2017-08-02T09:56:46Z
2017-08-02T09:56:46Z 2001 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Матюшин В. М. Вплив атомів водню на систему Ni-Ge / В. M. Матюшин, P. B. Мартинюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 21–25. – Бібліографія: 14 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/38596 |
|
| Language |
ua
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
|
|