Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb
Influence of isovalent Bi impurity on InSb crystals growth parameters |
|
| Creator |
Большакова, І. А.
Московець, Т. А. |
|
| Contributor |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|
| Subject |
621.315.592
|
|
| Description |
Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient. |
|
| Date |
2018-03-12T09:14:43Z
2018-03-12T09:14:43Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Большакова І. А. Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb / І. А. Большакова, Т. А. Московець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 9–14. – Бібліографія: 7 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39578 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
1. VoroninV., Marianova I., Ostrovskaya A. // Cryst. Prep. andPrepar. -1991. - 36-3S. - P. 340. 2. Weyher j. // Cryst. Growth. - 1978. - 43. - № 2. - P. 235 3. Darinskij B., Kozenkov O., Schetinin A. / / Izv. vuzov, Fizika. - 1986. -1 2 . - P. 18. 4. Кринецкий И.И. Основы научных исследований. - K.; Одесса, 1981. З. Schetinin A., Dunayev A., Kozenkov O. / / Izv. vuzov, Fizika. - 1982. - 3. - P. 111. 6. Bolshakova I., Moskovets T., Ostrovskij I., Ostrovskaja A., Klimenko A. // Mogeling o f InSb and InAs whiskers growth. Computational Materials Science. - 1998. Strasbourg 97. 7. Givargizov E. / / j. Crystal Growth. - 197З. - 31. - P. 30.
|
|
| Rights |
Большакова І. А., Московець Т. А
|
|
| Format |
9-14
application/pdf |
|
| Coverage |
UA
Львів |
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|