Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
Mathematic model of transition process in memory cells based on josephson junctions |
|
| Creator |
Тиханський, М. В.
Шуригін, Ф. М. |
|
| Contributor |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|
| Subject |
621.382.323
|
|
| Description |
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated. |
|
| Date |
2018-03-13T10:44:44Z
2018-03-13T10:44:44Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тиханський М. В. Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів / М. В. Тиханський, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 201–207. – Бібліографія: 6 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39623 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
1. Ван Дузер Т. Физические основы сверхпров. устройств. - М., 1984. 2. Лихарев К.К., Муханов О.А., Семенов В.К. / / ЖЭТФ. - 1987. - 58. — C. 147-154. 3. Рыглов С.В., Семенов В.К. / / Микроэлектроника. - 1988. -1 7 . — C. 195-205. 4. Грачева М.В., Катурников В.А., Руднев И.А. // ФНТ. - 1999. - 25, № 2. - C. 148-152. 5. Зремяк Я.М.,Тихансъкий М.В. // Вісн. Д У "Львівська політехніка ”. - 1998. - № 325. - C. 60-64. 6 . Duzer T. Van. / / IEEE Transactions on M icrowave Theory and Techn. - 1990. - 28. - P. 492-498.
|
|
| Rights |
Тиханський М. В., Шуригін Ф. М., 2002
|
|
| Format |
201-207
application/pdf |
|
| Coverage |
UA
Львів |
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|