Запис Детальніше

Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням
Fabrication of thin layers of aluminium nitride by laser-magnetron deposition
 
Creator Бобицъкий, Я. В.
Котлярчук, Б. К.
Попович, Д. І.
Середницький, А. С.
 
Contributor Національний університет «Львівська політехніка»
 
Subject 621.315.592
 
Description Подані результати експериментальних досліджень процесів імпульсного реактивного лазерно-магнетронного напилення тонких шарів AIN, AlN:Mn та
формування їх структурних і катодолюмінесцентних характеристик. Встановлено,
що основними технологічними факторами, які визначають властивості конденсату, є густина потужності лазерного імпульсу, температура підкладки, тиск азоту в реакційній камері та потужність паро-плазмового розряду. Проведено комплекс експериментальних робіт із вивчення механічних напружень у системі AlN - Al2O3 аналізом пружних деформацій. We report on the results of experimental investigations of processes of pulse lasermagnetron reactive deposition and formation structural and cathodoluminescent characteristics of AlN, AlN:Mn thin films. It was established that, the main factors which determine condensate properties are laser pulse density, substrate temperature, nitrogen pressure in the reactive chamber and energy of vapor-plasma discharge. Report on complex of experimental works on investigation of mechanical stresses in AlN - Al2O3 system was conducted by analysis of elastic deformation.
 
Date 2018-03-12T09:14:16Z
2018-03-12T09:14:16Z
2002
 
Type Article
 
Identifier Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням / Я. В. Бобицъкий, Б. К. Котлярчук, Д. І. Попович, А. С. Середницький // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 3–9. – Бібліографія: 8 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39577
 
Language uk
 
Relation 1. Strite S., Lin M., Morkoc H. / / Thin Sol. Films. - 199S. - 231. - P. 197-210. 2. Kotlyarchuk B.K., Popovych D.I. / / Proceedings o f SPIE. - 2000. - 4148. - P. 247-251. S. Kotlyarchuk B.K., Popovych D.I., Shvets M .J.// International School-Conference on Physical Problems in Material Science o f Semiconductors (PPM SS’99). 7-12 September 1999. Chernivtsi, Ukraine. - P.12. 4. Бобицъкий Я.В., Котлярчук Б.К., Попович Д.1., Савчук B.K. / / Вісн. Н У “Львівська політехінка”. - 2000. - № 401. - С. S-8. 5. Гофман P. У. Физика тонких пленок. - 1968. - 3. - С. 225-298. 6. Caldwell M.L., Richardson H.H., Kordesh M.E. / / Symposium W, “Gallium Nitride and Related A lloys” at the 1999 Fall M eeting o f the Materials Research Society held in Boston, Massachusetts, November 28-December 3. 7. Karel F., Mares J. // Czech. J. Phys. - 1972. - 22. - P. 847. 8. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика. - K., 1979. - 336 с.
 
Rights Бобицький Я. В., Котлярчук Б. К., Попович Д. І., Середницький А. С.
 
Format 3-9
application/pdf
 
Coverage UA
Львів
 
Publisher Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"