The formation of n-n+ transition in the implanted crystal matrix
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The formation of n-n+ transition in the implanted crystal matrix
|
|
| Creator |
Peleshchak, R.M.
Kuzyk, O.V. Tupichak, V.P. Shuptar, D.D. |
|
| Description |
The existence of n-n+ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus the plane, which corresponds to the border of transition, is shifted to the border of elasticity with the increase of n.
В рамках электрон-деформационной модели раскрыто существование n-n+ перехода в упругой области имплантированной кристаллической матрицы GaAs(100) + Ar(Si). Показано, что с ростом степени заполнения зоны проводимости (0 <= n <= 0.5) переход становится более резким. При этом плоскость, соответствующая границе перехода, с ростом n сдвигается к границе упругости. |
|
| Date |
2018-06-14T09:10:29Z
2018-06-14T09:10:29Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
The formation of n-n+ transition in the implanted crystal matrix / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, V.P. Tupichak, D.D. Shuptar // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 201-205. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134811 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|