Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air
|
|
| Creator |
Balitskii, O.A.
Savchyn, V.P. Savchyn, P.V. Fiyala, Ya.M. |
|
| Description |
The oxidation processes of indium and gallium monotellurides have been discussed. The oxidation has been established to result in formation of additional phases with higher tellurium content, namely, gallium and indium sesquitellurides, respectively.
Исслeдован фазовый состав приповeрхностных слоeв тeрмичeски оксидированных на воздухe монокристаллов GaTe и lnTe. Установлeно, что оксидированиe сопровождаeтся образованиeм дополнитeльно фазы с большим содeржаниeм тeллура - полуторатeллу- ридов Галлия и индия соотвeтствeнно. |
|
| Date |
2018-06-14T09:12:10Z
2018-06-14T09:12:10Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air / O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, P.V. Savchyn, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134813 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|