Effect of low-energy ion bombardment during the sputtering on the crystal structure of FePt films
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Effect of low-energy ion bombardment during the sputtering on the crystal structure of FePt films
|
|
| Creator |
Naumov, V.V.
Il'yashenko, E.I. |
|
| Subject |
Characterization and properties
|
|
| Description |
The crystal structure and texture of FePt films have been studied. The film were grown on Si and Al₂O₃ substrates by RF magnetron sputtering using ion bombardment during the growth. The ion bombardment was done by applying an RF bias to the substrate. At room temperature of substrate, the effect of external magnetic field directed along the substrate surface during the film growth was studied. The films with axial (111) texture have been obtained at any substrate type. The substrate bias and magnetic field enhance the film crystallinity degree without change of texture type. The films with in-plane magnetization have been obtained at Al₂O₃ substrate temperature above 400°C and at substrate bias of 3 to 5 V but without use of magnetic field.
Досліджені кристалічна структура і текстура ІLJІівок FePt. Плівки одержані на підкладках кремнію та Al₂O₃ методом ВЧ магнетронного розпилення з використанням іонного бомбардування в процесі росту. Іонне бомбардування здійснювалося шляхом подавання на підкладку ВЧ зміщення. При кімнатній температурі підкладки досліджено вплив магнітного поля, прикладеного вздовж поверхні підкладки у процесі нанесення плівок . Одержано плівки з аксіальною текстурою (111) незалежно від типу підкладки. Зміщення на підкладці та магнітне поле збільшують ступінь кристалічності плівок без зміни типу текстури. Плівки з намагніченістю у площині одержано на підкладках Al₂O₃ при температурі вище 400°С з використанням зміщення на підкладці 3-5 В, але без використання магнітного поля. Исследованы кристаллическая структура и текстура пленок FePt. Пленки получены ВЧ магнетронным методом с использованием ионной бомбардировки в процессе роста на подложках Si и Al₂O₃. Ионная бомбардировка осуществлялась путем подачи на подложку ВЧ смещения. При комнатной температуре подложки исследовалось влияние магнитного поля, приложенного вдоль поверхности подложки в процессе нанесения пленок. Получены пленки с аксиальной текстурой (111) независимо от типа подложки. Смещение на подложке и магнитное поле усиливают степень кристалличности пленок без изменения типа текстуры. Пленки с намагниченностью, лежащей в плоскости подложки, получены на подложках Al₂O₃ при температуре выше 400°С с использованием смещения на подложке 3-5 В, но без использования магнитного поля. |
|
| Date |
2018-06-14T17:38:54Z
2018-06-14T17:38:54Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Effect of low-energy ion bombardment during the sputtering on the crystal structure of FePt films // V.V. Naumov, E.I. Il'yashenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 356-363. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135266 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|