Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
|
|
Creator |
Semenov, A.V.
Lopin, A.V. Puzikov, V.M. Muto, Sh. |
|
Description |
SiC films have been obtained by direct deposition from a C and Si ions flow at energy values in the 30 to 1.500 eV range. The films deposited at the substrate temperature 600 С were chemically and structurally disordered. The deposition energy increase resulted in a reduced optical slot of the film and increased Urbach parameter. The dependence is non-monotonous in the energy range 30-250 eV. The maximum value of the film optical gap (2.2 eV) is close to the band gap for cubic SiC (2.4 eV). The non-monotonic dependence of the film optical properties and structure parameters on the ion deposition energy in the 30-250 eV range can be connected with difference in behavior of C and Si sublattices in SiC under low-energy ion bombardment.
Методом прямого осаждения из потока ионов C и Si с энергиями в диапазоне 30-1500 эВ получены пленки SiC. Осажденные при температуре подложек 600 С пленки являлись структурно и химически разупорядоченными. Повышение энергии осаждения приводило к уменьшению оптической щели пленок и увеличению параметра Урбаха. В диапазоне энергий 30-250 эВ эта зависимость является немонотонной. Максимальное значение оптической щели пленок (2.2 эВ) близко к величине запрещенной зоны кубического карбида кремния (2.4 эВ). Немонотонная зависимость оптических свойств и структурного состояния пленок от энергии осаждения ионов в диапазоне 30-250 эВ моГут быть связаны с различным поведением углеродной и кремниевой подрешеток карбида кремния в условиях низкоэнергетичной ионной бомбардировки. |
|
Date |
2018-06-14T19:14:31Z
2018-06-14T19:14:31Z 2005 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films / Sh. Muto, V.M. Puzikov, A.V. Lopin, A.V. Semenov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 216-223. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135335 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Functional Materials
|
|
Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|