Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum
|
|
| Creator |
Patskun, I.I.
Rybalko, A.V. |
|
| Description |
The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor and unannealed were studied. The dynamics of the defect structure change in the ZnGeP₂ crystal due to annealing in Zn vapor has been considered as well as the presumable identification of impurity centers. Статья посвящена экспериментальному исследованию зонной структуры, глубоких локальных центров и комплексов, а также генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковом кристалле ZnGeP₂. Исследовались кристаллы, выращенные методом Бриджмена: отожженные и неотожженные в парах Zn. Рассмотрена динамика изменения дефектной структуры в кристалле ZnGeP₂ после отжига в парах Zn, а также возможная идентификация примесных центров. |
|
| Date |
2018-06-15T03:57:41Z
2018-06-15T03:57:41Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135337 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|