Запис Детальніше

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
 
Creator Kotur, B.
Babizhetskyy, V.
Bauer, E.
Kneidinger, F.
Danner, A.
Leber, L.
Michor, H.
 
Description The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the
structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃
structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected.
Методами рентгенівського, мікрорентгеноспектрального аналізу, дослідження електроопору, питомої теплоємності і магнетної сприйнятливості вивчено можливість та вплив легування Fe/Co, Fe/Mn і Co/Ni у положеннях атомів металу в тетрагональній структурі діамагнетного ізолятора FeGa₃. Заміщення атомів Fe на Co у сполуці FeGa₃
не змінює її кристалічну структуру. Розчинність Mn у FeGa₃ не перевищує 3 at.%, а розчинність Ni у CoGa₃ не виявлено.
Методами рентгеновского, микрорентгеноспектрального анализа, исследования электросопротивления, удельной теплоемкости и магнитной восприимчивости
исследована возможность и влияние легирования Fe/Co, Fe/Mn и Co/Ni в положениях
атомов металла в тетрагональной структуре диамагнитного изолятора FeGa₃. Замещение
атомов Fe на Co в соединении FeGa₃ не изменяет ее кристаллическую структуру. Растворимость Mn в FeGa₃ не превышает 3 at.%, а растворимость Ni в CoGa₃ не выявлено.
 
Date 2018-06-15T15:28:27Z
2018-06-15T15:28:27Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
0430-6252
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135826
 
Language en
 
Relation Фізико-хімічна механіка матеріалів
 
Publisher Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України