Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
|
|
| Creator |
Katrunov, K.A.
Galchinetskii, L.P. Grinyov, B.V. Starzhinskiy, N.G. Bendeberya, G.N. Bondarenko, E.A. |
|
| Subject |
Technology
|
|
| Description |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Nl Schottky's surface barrier structure used as components of UV photosensitive detectors are studied. Both the spectrum and the total sensitivity of photodiodes depend substantially on the nickel film thickness. Estimation of the film thickness showed that optimal nickel layer thickness is ~ 20 nm. The shape of spectral sensitivity curve does not depend on activator impurity in the ZnSe crystal which the diode is formed from.
Вивчено вплив технологічних параметрів, а також проведено пошук причин, що впливають на основні вихідні параметри поверхнево-бар'єрної структури Шоткі ZnSe(X)/Ni, яка є основним компонентом при створенні детекторів УФ-випромінювання. Встановлено, що як спектр, так і інтегральна чутливість фотодіодів суттєво залежать від товщини плівки нікелю, причому оптимальною можна вважати товщину близько 20 нм. Форма спектральної чутливості не залежить від активуючої домішки у кристалі ZnSe, з якого формується діод. Изучено влияние технологических параметров, влияющих на основные выходные параметры поверхностно-барьерной структуры Шоттки nZnSe(X)/Ni, которая является основным компонентом при создании детекторов УФ излучения. Установлено, что как спектр, так и интегральная чувствительность фотодиодов существенно зависят от толщины пленки никеля, причем оптимальной можно считать толщину порядка 20 нм. Форма кривой спектральной чувствительности не зависит от активирующей добавки в кристалле ZnSe, из которого формируется диод. |
|
| Date |
2018-06-16T13:37:13Z
2018-06-16T13:37:13Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes // K.A. Katrunov, L.P. Galchinetskii, B.V. Grinyov, N.G. Starzhinskiy, G.N. Bendeberya, E.A. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 585-588. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136547 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|